霍尔效应是电磁效应的一种，是美国物理学家霍尔在1879年研究金属导电机理时发现的。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场方向会产生额外的电场，导致半导体两端产生电位差。这种现象就是霍尔效应，这个电位差也叫霍尔电位差。霍尔开关是一种基于霍尔效应的磁传感器。现有的磁敏开关工作时，当一对NS磁极的磁铁逐渐接近霍尔时，霍尔效应改变开关的内部电路状态，产生脉冲信号，从而识别附近磁性物体的存在并传输给控制器，控制器再控制开关的通断。但在实际工作中，现有的磁敏开关往往因误操作而造成判断失误，导致开关误分误合，进而影响装置的正常运行。
 

 

一种单对磁极防电磁干扰开关，包括控制器、霍尔开关和磁铁，控制器与霍尔开关电连接；霍尔与磁铁分离，相对运动；磁体上设有一对NS磁极；当磁铁和霍尔连续接近至少两次时，霍尔产生至少两次脉冲信号，并将脉冲信号传输给控制器，接通或断开开关。
 

以磁铁连续两次接近霍尔的次数为例。在工作过程中，磁铁被工件带动水平左右移动。当磁铁连续接近霍尔时，每次磁铁连续接近霍尔，霍尔都会产生一个脉冲信号。当脉冲信号连续产生两次时，控制器打开或关闭开关。
 

 

当磁体和霍尔持续彼此靠近至少两次时，霍尔开关产生至少两次脉冲信号，并将它们传输到控制器，以连接或断开开关。整体结构简单，成本低。能够正确判断磁铁的位置，避免误操作导致的开关误分误合，从而保证装置的正常运行。