美国允许三星、SK海力士和台积电在中国大陆扩建
目前，领先的芯片制造商将能够升级他们在中国大陆的晶圆厂。
据《华尔街日报》 援引美国商务部官员的报道称，美国政府将允许顶级芯片制造商三星、SK 海力士和台积电保留和扩建其在中国大陆现有的内存和逻辑工厂。 如果信息正确，那么这三家公司将能够从美国制造商那里为他们在中国大陆的晶圆厂购买新的晶圆厂工具，但有一个问题。
美国商务部负责工业和安全的副部长艾伦·埃斯特维兹 (Alan Estevez) 透露，政府计划继续对韩国和中国台湾芯片制造商实施现行豁免，这些豁免与旨在限制中国大陆半导体行业能力的最新美国出口管制规则 有关。这些最初于去年 10 月授予的豁免将于今年 10 月到期。
出席讨论的人士表示，Estevez 在与半导体行业协会的讨论中做出了确认，称豁免预计将在“可预见的未来”持续存在。然而，商务部选择拒绝就此事发表任何额外评论。
美国的晶圆厂设备 (WFE) 制造商必须先获得商务部的出口许可证，才能出口能够生产在 10nm/14nm/16nm 或更小节点上使用非平面晶体管的逻辑芯片、具有 128的3D NAND芯片的工具或更多层，以及半间距为18nm或更小的DRAM IC，供中国客户使用。
三星、SK 海力士和台积电等芯片制造商必须经常升级他们的晶圆厂，以保持其产品的竞争力。这三家公司都获得了美国政府的豁免，允许他们在 2022 年 10 月至 2023 年 10 月期间向中国大陆出口必要的生产设备，并有可能将豁免再延长一年。显然，美国政府现在愿意允许三星、SK 海力士和台积电在 2024 年 10 月之后为其在中国大陆的半导体生产设施获得美国晶圆厂工具。
但是，让我们开始吧。根据美国 CHIPS 和科学法案获得国家资助的条件将 禁止 受益公司投资其位于中国大陆的晶圆厂。这项政策可能会对三星、SK 海力士和台积电等公司产生深远影响，这些公司在中国大陆经营着重要的设施，并且是美国资助的潜在申请者。根据目前的条款，如果这些公司中的任何一家获得 CHIPS 资金，他们将无法在 10 年内投资扩建或升级其在中国大陆的晶圆厂。
目前，SK海力士是中国大陆少数几个DRAM生产商之一。目前还不清楚它在那里使用了哪些生产技术。据 TrendForce 称，三星和SK海力士都在中国大陆使用其 128 层工艺制造 3D NAND。与此同时，台积电位于中国南京的Fab 16 在该公司的16纳米FinFET节点上生产芯片。
目前，16nm FinFET 和 128 层 3D NAND 制造工艺具有竞争力。但在某个时候，它们将变得过时，如果那里的芯片制造商不能根据与美国政府的协议投资升级他们的中国大陆晶圆厂，他们将不得不做出战略决策，如果赠款条款符合筹码法案没有改变。
