利用霍尔效应可以设计成哪几种传感器？
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为:
UH=RHIB/d (1) RH=1/nq(金属) (2)
式中 RH??霍尔系数;n??单位体积内载流子或自由电子的个数;q??电子电量;I??通过的电流;B??垂直于I的磁感应强度;d??导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式(2)不同，此处从略。
霍尔电流传感器
霍尔电流传感器
由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
霍尔功率传感器
霍尔功率传感器
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。
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