霍尔元件是应用霍尔效应的半导体
霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等.
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。
霍尔元件件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高(可达1MHZ)，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔电位差 UH 的基本关系为
UH=RHIB/d (18)
RH=1/nq(金属) (19)
式中 RH--霍尔系数:
n--单位体积内载流子(自由电子和空穴)的个数
q--电子电量;
I--通过的电流;
霍尔元件
霍尔元件
B--垂直于I的磁感应强度;
d--导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式(19)不同，此处从略。
由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
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